职位描述
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岗位职责:1、负责SiC粉体合成及晶体加工。2、负责SiC长晶专案计划、文件制定、原物料评估。3、负责把控、优化碳化硅晶体生长工艺,优化工艺参数,能够进行晶体质量检测和分析。4、负责SiC长晶前处理区工艺成本的降低以及生产过程中的异常处理。5、负责专利撰写。6、负责日常长晶良率的改善与提升。任职资格:1、本科以上学历,凝聚态物理、半导体物理、微电子、材料、化学等相关专业。2、掌握SiC长晶工艺原理、各种技术参数和相关技术标准,熟悉长晶炉设备构造、性能。具备一定设备故障处理能力。3、具有专利撰写与期刊文献发表能力。4、能够熟练使用制图CAD,各种办公软件。5、具备一定的学习能力、英语沟通交流与书写能力,可独立完成交代任务。6、工作主动负责,态度积极,具备良好的沟通能力、团队工作能力。
职能类别:半导体工艺工程师
关键字:碳化硅长晶第三代半导体化合物半导体
工作地点
地址:成都武侯区成都-高新区


职位发布者
HR
有限公司

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电子技术·半导体·集成电路
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1000人以上
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国内上市公司
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昆明市富民县。